W25Q128JVYIQ TR

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25Q128JVYIQ TR
商品编号: C6025196
商品封装: WLCSP-24
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	3ms
	块擦除时间(tBE)	150ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

W25Q128JV（128兆位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能方面远超普通串行闪存器件。它们非常适用于代码影子到RAM、直接从双/四路SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件在单路2.7V~3.6V电源下工作，掉电模式下电流消耗低至1μA。所有器件均提供节省空间的封装。W25Q128JV阵列组织为65,536个可编程页，每页256字节。每次最多可编程256字节。页可以按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、256页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q128JV分别具有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。4KB的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更大的灵活性。

商品特性

单电源供电：2.7V~3.6V
128兆位串行闪存，支持标准/双路/四路SPI
支持双路和四路I/O SPI，实现高性能XIP（就地执行）
灵活的架构：65,536个可编程页（256字节/页），4,096个可擦除扇区（4KB/扇区），256个可擦除块（64KB/块）
低功耗：工作电流~4mA（典型值），掉电电流~1μA（典型值）
高可靠性：数据保存期超过20年，每个扇区支持100,000次擦写循环
软件和硬件写保护
支持安全寄存器（OTP区域）
可编程输出驱动强度
多种封装选项：8引脚SOIC 208-mil、16引脚SOIC 300-mil、8焊盘WSON 6×5-mm/8×6-mm、24球TFBGA 8×6-mm、24球WLCSP

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	128Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次