温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSM70N1R4CH C5G

1个N沟道耐压:700V 电流:3.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM70N1R4CH C5G
商品编号: C5992763
商品封装: TO-251(IPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品特性

低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）
高正向传输导纳：|Yfs| = 1.0 S（典型值）
低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 500 V）
增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

应用领域

开关稳压器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	3.3A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V,1.2A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	38W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	7.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	370pF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)