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TSM085P03CS RLG

1个P沟道耐压:30V 电流:34A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM085P03CS RLG
商品编号: C5993708
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以最大程度降低传导损耗
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

直流-直流转换器
电池电源管理
负载开关
无刷直流(BLDC)电机驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	34A
	导通电阻(RDS(on))	8.5mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	56nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.216nF
	工作温度	-55℃~+150℃