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LT1160IS#PBF

半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LT1160IS#PBF
商品编号: C662903
商品封装: SO-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.299克(g)

商品参数

商品概述

LT1160/LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可驱动由高达60V的高压（HV）轨供电的高端N沟道功率MOSFET。内部逻辑可防止半桥中的功率MOSFET输入同时导通。其独特的自适应直通电流保护功能消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关稳压器系统的设计。在低电源或启动条件下，欠压锁定会主动将驱动器输出拉低，以防止功率MOSFET部分导通。0.5V的迟滞特性即使在电源缓慢变化时也能确保可靠运行。 LT1162是LT1160的双路版本，提供24引脚PDIP或24引脚SO Wide封装。

商品特性

浮动高端驱动器可切换高达60V的电压
驱动高端N沟道MOSFET的栅极，使其高于负载HV电源
驱动10,000pF负载时的转换时间为180ns
自适应非重叠栅极驱动可防止直通
高占空比时的高端驱动保护
TTL/CMOS输入电平
带迟滞的欠压锁定
工作电源电压范围为10V至15V
独立的高端和低端驱动引脚

应用领域

大电流感性负载的PWM控制
半桥和全桥电机控制
同步降压开关稳压器
三相无刷电机驱动
大电流传感器驱动器
D类功率放大器

数据手册PDF

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交货周期

订货25-27个工作日

购买数量

(55个/管，最小起订量 1045 个)

个

起订量：1045 个55个/管

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	10V~15V
	上升时间(tr)	130ns
	下降时间(tf)	60ns
	工作温度	-40℃~+85℃