LT1336IS#TRPBF
具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LT1336IS#TRPBF
- 商品编号
- C663456
- 商品封装
- SO-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 10V~15V | |
| 上升时间(tr) | 130ns | |
| 下降时间(tf) | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
[↑]336是一款高性价比的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可驱动在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨上运行的高端N沟道功率MOSFET。在PWM操作中,即使接近并以100%占空比运行,片上开关稳压器也能维持自举电容的电荷。 内部逻辑可防止输入同时导通半桥中的功率MOSFET。其独特的自适应直通电流保护功能消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低电源或启动条件下,欠压锁定功能会主动将驱动器输出拉低,以防止功率MOSFET部分导通。0.5的迟滞特性即使在电源缓慢变化时也能实现可靠运行。
商品特性
- 浮动高端驱动器可切换高达60V的电压
- 用于直流操作的内部升压稳压器
- 驱动10,000pF负载时的转换时间为180ns
- 自适应非重叠栅极驱动可防止直通
- 可驱动高端N沟道MOSFET的栅极电压高于电源电压
- 在高占空比下维持高端驱动
- TTL/CMOS输入电平
- 带迟滞的欠压锁定
- 工作电源电压范围为10V至15V
- 独立的高端和低端驱动引脚
应用领域
- 大电流感性负载的PWM控制
- 半桥和全桥电机控制
- 同步降压开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 大电流传感器驱动器
- D类功率放大器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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