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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 130ns | |
| 下降时间(tf) | 120ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
LT1158上的单个输入引脚以图腾柱配置同步控制两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应直通电流保护消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158中的连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流。只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将FAULT输出端连接到使能输入端，LT1158在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电后重试。 片上电荷泵在需要时开启，以持续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制在14.5V。
商品特性
- 驱动顶部MOSFET的栅极电压高于V+
- 工作电源电压范围为5V至30V
- 驱动3000pF负载时的转换时间为150ns
- 峰值驱动电流超过500mA
- 自适应非重叠栅极驱动
- 连续电流限制保护
- 自动关闭和重试功能
- 用于直流操作的内部电荷泵
- 内置栅极电压保护
- 与电流感应MOSFET兼容
- TTL/CMOS输入电平
- 故障输出指示
应用领域
- 大电流感性负载的PWM控制
- 半桥和全桥电机控制
- 同步降压开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 大电流传感器驱动器
- 电池供电的逻辑电平MOSFET
交货周期
订货39-41个工作日购买数量
(25个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个25个/管
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