ADUM4138WBRNZ

ADuM4138是一款单通道栅极驱动器，专为驱动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而优化。iCoupler技术实现了输入信号与输出栅极驱动之间的隔离。 芯片级变压器还能在芯片的高压和低压区域之间进行控制信息的隔离通信。可通过专用输出端回读芯片的状态信息。 ADuM4138集成了一个隔离式反激控制器，可轻松产生次级电压。 ADuM4138集成了过流检测功能，可在IGBT出现去饱和和/或过流情况时对其进行保护。过流检测与高速两级关断功能配合，可在发生故障时发挥作用。 当米勒钳位电压阈值降至GND₂以上2 V（典型值）以下时，ADuM4138可为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）提供米勒钳位控制信号，以实现IGBT关断，且仅需单轨电源。无论是否启用米勒钳位功能，均可采用单极性次级电源供电。 低栅极电压检测电路可在开启后规定时间内（典型值为12.8 μs），若栅极电压未升至内部阈值以上时触发故障。该低电压检测电路可检测IGBT器件因栅极短路或其他驱动不足原因导致的故障。 两个温度传感器引脚TS1和TS2可对IGBT处的系统温度进行隔离监测。次级欠压锁定（UVLO）设定为11.2 V（典型值），与常见的IGBT阈值电平一致。 器件初级侧的串行外设接口（SPI）总线可对ADuM4138的温度传感二极管增益和失调进行现场编程。这些数值存储在器件次级侧的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中。此外，还可对特定的VDD₂电压、温度传感报告频率和过流消隐时间进行编程。 ADuM4138可为过流事件、远程温度过热事件、UVLO、热关断（TSD）和去饱和检测提供隔离式故障报告。

• 6 A（典型值）峰值驱动输出能力
• 内部关断N沟道场效应晶体管（NFET），导通电阻：<1 Ω
• 内部开启P沟道场效应晶体管（PFET），导通电阻：<1.2 Ω
• 2种过流保护方法：去饱和检测、分裂发射极过流检测
• 带栅极感应输入的米勒钳位输出
• 隔离式故障输出
• 隔离式温度传感器回读
• 传播延迟：上升沿：典型值95 ns；下降沿：典型值100 ns
• 最小脉冲宽度：74 ns
• 工作结温范围：-40℃至+150℃
• VDD₁和VDD₂欠压锁定
• 最小外部爬电距离：8.3 mm（待定）
• 安全和法规认证：符合UL 1577标准，1分钟耐压5000 V rms；符合CSA组件验收通知5A；符合DIN V VDE V 0884 - 10（VDE V 0884 - 10）:2006 - 12标准，V₁ORM = 849 VPEAK（加强/基本绝缘）
• 符合汽车应用要求

• MOSFET和IGBT栅极驱动器
• 光伏（PV）逆变器
• 电机驱动器
• 电源