- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BR25H010FVM-2CTR
SPI总线接口串行EEPROM，具备高速时钟、等待功能、防误写机制，适用于电池应用
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25H010FVM-2CTR
- 商品编号
- C5955345
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；噪声抑制功能；页写保护功能；硬件写保护功能；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
BR25H010 - 2C是一款采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 高速时钟操作，最高可达10MHz（最大值）
- 通过HOLDB端子实现等待功能
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区
- 2.5V至5.5V单电源操作，非常适合电池供电使用
- 页写模式，适用于工厂出货时写入初始值
- 适用于SPI总线接口（CPOL，CPHA） = （0，0），（1，1）
- 自定时编程周期
- 低电源电流
- 写操作（5V）时：1.0mA（典型值）
- 读操作（5V）时：1.0mA（典型值）
- 待机操作（5V）时：0.1μA（典型值）
- 读操作时地址自动递增功能
- 防止写错误
- 上电时禁止写入
- 通过命令代码（WRDI）禁止写入
- 通过WPB引脚禁止写入
- 通过状态寄存器（BP1，BP0）设置写禁止块
- 低电压时防止写错误
- 提供MSOP8、TSSOP - B8、SOP8、SOP - J8封装
- 出货时数据：存储阵列：FFh，状态寄存器BP1、BP0：0
- 数据保留时间超过100年
- 写周期超过100万次
- 通过AEC - Q100认证
- BR25H640F-5ACE2
- BR25H640FVT-2ACE2
- BR25L010F-WE2
- BR25L160FJ-WE2
- BTE-040-02-F-D-A-K
- BTE-040-03-L-D-A-K
- BTE-040-03-L-D-A-K-TR
- BTE-040-09-L-D-A
- BTE-060-01-F-D-A-K-TR
- BR310F_R1_00001
- BTE-060-02-H-D-A
- BR36_R1_00001
- BTE-060-04-H-D-A-K-TR
- BR3JB30L0
- BTE-060-05-F-D-A
- BR60-0R5J8
- BTE-060-05-F-D-A-K
- BR60-10RJ8
- BTE-060-08-L-D-A
- BR810_R1_00001
- BTE-080-01-H-D-FL-LC