BR25H640FVT-2ACE2
BR25H640FVT-2ACE2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25H640FVT-2ACE2
- 商品编号
- C5955349
- 商品封装
- TSSOP-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
BR25H640 - 2AC是一款采用SPI总线接口方式的64Kbit串行EEPROM。
商品特性
- SPI总线接口 (CPOL, CPHA)=(0,0), (1,1)
- 电压范围:2.5V至5.5V
- 工作范围:-40°C至+125°C
- 时钟频率:10MHz(最大值)
- 写入时间:4ms(最大值)
- 页面大小:32字节
- 位格式:8192 x 8位
- 32字节可写锁定识别页(ID页)
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 数据重写时具有自动擦除和自动结束功能
- 通过软件设置内存阵列的写保护块,可设置为1/4、1/2或整个阵列
- 通过HOLDB引脚实现HOLD功能
- 低电源电流:写入操作(5V):1.0mA(典型值);读取操作(5V):1.2mA(典型值);待机状态(5V):0.1μA(典型值)
- 防止误写入:上电时禁止写入;通过WPB引脚禁止写入;设置写禁止块;低电压时防止误写入
- 写入周期:Ta ≤ 85°C时为1,000,000次写入周期;Ta ≤ 105°C时为500,000次写入周期;Ta ≤ 125°C时为300,000次写入周期
- 数据保留时间:Ta ≤ 25°C时为100年;Ta ≤ 105°C时为60年;Ta ≤ 125°C时为50年
- 出厂数据:内存阵列:FFh;ID页前3个地址:2Fh, 00h, 0Dh;其他地址:FFh;状态寄存器WPEN, BP1, BP0:0, 0, 0;锁定状态LS:0
- 提供MSOP8、TSSOP - B8、SOP8、SOP - J8封装
- 通过AEC - Q100认证
- BR25L010F-WE2
- BR25L160FJ-WE2
- BR93G66FVT-3BGE2
- BR93G86FV-3GTE2
- BTE-040-03-L-D-A-K-TR
- BTE-040-09-L-D-A
- BTE-060-01-F-D-A-K-TR
- BR310F_R1_00001
- BTE-060-02-H-D-A
- BR36_R1_00001
- BTE-060-04-H-D-A-K-TR
- BR3JB30L0
- BTE-060-05-F-D-A
- BR60-0R5J8
- BTE-060-05-F-D-A-K
- BR60-10RJ8
- BTE-060-08-L-D-A
- BR810_R1_00001
- BTE-080-01-H-D-FL-LC
- BTE-080-01-L-D-EM2
- BTE-080-06-F-D-A

