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BR25H640FVT-2ACE2引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BR25H640FVT-2ACE2

BR25H640FVT-2ACE2

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
BR25H640FVT-2ACE2
商品编号
C5955349
商品封装
TSSOP-8-175mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.149克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量64Kbit
时钟频率(fc)10MHz
写周期时间(Tw)4ms
属性参数值
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
功能特性-
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

BR25H640 - 2AC是一款采用SPI总线接口方式的64Kbit串行EEPROM。

商品特性

  • SPI总线接口 (CPOL, CPHA)=(0,0), (1,1)
  • 电压范围:2.5V至5.5V
  • 工作范围:-40°C至+125°C
  • 时钟频率:10MHz(最大值)
  • 写入时间:4ms(最大值)
  • 页面大小:32字节
  • 位格式:8192 x 8位
  • 32字节可写锁定识别页(ID页)
  • 读取操作时具有地址自动递增功能
  • 数据重写时具有自动擦除和自动结束功能
  • 通过软件设置内存阵列的写保护块,可设置为1/4、1/2或整个阵列
  • 通过HOLDB引脚实现HOLD功能
  • 低电源电流:写入操作(5V):1.0mA(典型值);读取操作(5V):1.2mA(典型值);待机状态(5V):0.1μA(典型值)
  • 防止误写入:上电时禁止写入;通过WPB引脚禁止写入;设置写禁止块;低电压时防止误写入
  • 写入周期:Ta ≤ 85°C时为1,000,000次写入周期;Ta ≤ 105°C时为500,000次写入周期;Ta ≤ 125°C时为300,000次写入周期
  • 数据保留时间:Ta ≤ 25°C时为100年;Ta ≤ 105°C时为60年;Ta ≤ 125°C时为50年
  • 出厂数据:内存阵列:FFh;ID页前3个地址:2Fh, 00h, 0Dh;其他地址:FFh;状态寄存器WPEN, BP1, BP0:0, 0, 0;锁定状态LS:0
  • 提供MSOP8、TSSOP - B8、SOP8、SOP - J8封装
  • 通过AEC - Q100认证

数据手册PDF