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SQ4080EY-T1_BE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:18A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4080EY-T1_BE3
- 商品编号
- C5924499
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 固定电信-DC/DC 转换器-初级和次级侧开关-同步整流