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SQJQ144AE-T1_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQJQ144AE-T1_GE3

1个N沟道 耐压:40V 电流:575A

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描述
特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 1.6mm薄封装。 极低的热阻
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJQ144AE-T1_GE3
商品编号
C5924525
商品封装
PowerPAK8x8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)575A
导通电阻(RDS(on))0.9mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)600W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)145nC@10V
输入电容(Ciss)9.02nF@25V
反向传输电容(Crss)220pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 第四代E系列技术
  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低有效电容(Co(er))
  • 降低开关和导通损耗
  • 雪崩能量额定(UIS)
  • 符合RoHS标准
  • 无卤
  • 环保(5 - 2008)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF