商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;内置写抑制功能 |
商品概述
IDT7052是一款高速2K x 8四端口静态随机存取存储器(SRAM),设计用于需要对公共RAM进行多次访问的系统。这款四端口静态随机存取存储器在需要实时通信的多处理器系统中可提高系统性能,同时也为需要在同一周期内进行多次访问的高速系统提供额外优势。
IDT7052还设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统。该器件适用于那些无法容忍等待状态、或设计为能够在所有端口同时访问同一四端口随机存取存储器位置时进行外部仲裁或承受竞争的系统。
IDT7052提供四个独立端口,具有独立的控制、地址和输入/输出引脚,允许对存储器中的任何位置进行独立、异步的读写访问。当所有端口同时访问同一内存位置时,用户有责任确保数据完整性。由CE(上划线)控制的自动掉电功能,允许每个端口的片上电路进入极低功耗的待机电源模式。
该四端口静态随机存取存储器采用CMOS高性能技术制造,通常仅需750mW的功率。低功耗(L)版本具备电池备份数据保持功能,每个端口通常从2V电池消耗50μW的功率。
IDT7052采用陶瓷108引脚针栅阵列(PGA)和120引脚薄型四方扁平封装(TQFP)。级产品按照最新版本的MIL - PRF - 38535 QML制造,非常适合对性能和可靠性要求极高的温度应用。
商品特性
- 高速访问
- 商用:20/25/35ns(最大值)
- 工业用:25ns(最大值)
- :35ns(最大值)
- 低功耗运行
- IDT7052S
- 活动状态:750mW(典型值)
- 待机状态:7.5mW(典型值)
- IDT7052L
- 活动状态:750mW(典型值)
- 待机状态:1.5mW(典型值)
- IDT7052S
- 真正的四端口存储单元,允许同时访问相同的存储位置
- 四个端口P1、P2、P3、P4各自完全异步操作
- 灵活的写禁止控制:四个端口各自有独立的BUSY输入来控制写禁止
- 电池备份操作 — 2V数据保持
- 与TTL兼容;单5V(±10%)电源
- 提供120引脚薄型四方扁平封装和108引脚针栅阵列封装
- 产品符合MIL - PRF - 38535 QML标准
- 部分选定速度产品提供工业温度范围(-40°C到+85°C)
- 提供环保型产品,详见订购信息
