STI400N4F6
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI400N4F6
- 商品编号
- C5909822
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 377nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.5 V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RD(on) = 88.4 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.5 V）；RD(on) = 56.0 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）；RD(on) = 39.7 mΩ（最大值）（@ VGS = -2.5 V）；RD(on) = 29.8 mΩ（最大值）（@ VGS = -4.5 V）
应用领域
- 电源管理开关