商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 377nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件为采用第六代STripFETTM DeepGATETM技术开发的N沟道功率MOSFET,具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 受封装限制
- 栅极电荷低
- 导通电阻极低
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用