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ADG1222BRMZ-REEL7

低电容、低电荷注入、 ±15 V/+12 V iCMOS® 双通道单刀单掷开关

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描述: 低电容、低电荷注入、±15V/+12ViCMOS双通道单刀单掷开关
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADG1222BRMZ-REEL7
商品编号: C654772
商品封装: MSOP-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.37克(g)

商品参数

商品概述

ADG1221/ADG1222/ADG1223 是采用 iCMOS（工业互补金属氧化物半导体）工艺设计的单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个可独立选择的开关。iCMOS 是一种将高压 CMOS 和双极技术相结合的模块化制造工艺。它能够开发出一系列高性能模拟集成电路，可在 33 V 电压下工作，且尺寸是前代高压器件无法达到的。与采用传统 CMOS 工艺的模拟集成电路不同，iCMOS 组件能够承受高电源电压，同时提高性能、显著降低功耗并减小封装尺寸。

这些开关的超低电容和极低电荷注入特性使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案，这些应用需要低毛刺和快速稳定。

ADG1221/ADG1222/ADG1223 包含两个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1221 和 ADG1222 的区别仅在于数字控制逻辑相反。ADG1221 开关在相应控制输入为逻辑 1 时导通，而 ADG1222 则需要逻辑 0。ADG1223 有一个开关的数字控制逻辑与 ADG1221 类似；另一个开关的逻辑相反。ADG1223 具有先断后通的开关动作，适用于多路复用器应用。每个开关导通时双向导通性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压。在关断状态下，可阻断高达电源电压的信号电平。

商品特性

全信号范围内电荷注入 <0.5 pC
关断电容：2 pF
关断泄漏电流：2 pA
电源电压范围：33 V
导通电阻：120 Ω
在 ±15 V、+12 V 下全面规格化
无需 VL 电源
3 V 逻辑兼容输入
轨到轨操作
10 引脚 MSOP 封装

应用领域

自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	1:1
	通道数	2
	工作电压	5V~16.5V；-16.5V~-5V
	导通时间(ton)	130ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	120Ω
	关闭时间(toff)	85ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	导通电容(Con)	3pF
	带宽	960MHz