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ADG1213YCPZ-REEL7

低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关

描述: 低电容、低电荷注入、±15V/+12ViCMOS、四通道单刀单掷开关
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADG1213YCPZ-REEL7
商品编号: C654767
商品封装: LFCSP-16(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2066克(g)

商品参数

商品概述

ADG1211/ADG1212/ADG1213是采用iCMOS（工业互补金属氧化物半导体）工艺设计的单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个可独立选择的开关。iCMOS是一种将高压CMOS和双极技术相结合的模块化制造工艺。它能够开发出一系列高性能模拟IC，可在33V电压下工作，且占用空间是前代高压器件无法达到的。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS组件能够承受高电源电压，同时提高性能、显著降低功耗并减小封装尺寸。这些开关的超低电容和电荷注入特性使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案，这些应用需要低毛刺和快速稳定。快速开关速度和高信号带宽使这些器件适用于视频信号切换。 iCMOS结构确保了超低功耗，使这些器件非常适合便携式和电池供电的仪器。 ADG1211/ADG1212/ADG1213包含四个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1211和ADG1212的区别仅在于数字控制逻辑相反。ADG1211开关在相应控制输入为逻辑0时导通，而ADG1212则需要逻辑1。ADG1213有两个开关的数字控制逻辑与ADG1211类似；另外两个开关的逻辑相反。ADG1213具有先断后通的开关动作，适用于多路复用器应用。每个开关导通时在两个方向上的导通性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压。在关断状态下，高达电源电压的信号电平会被阻断。

商品特性

关断电容：1 pF
导通电容：2.6 pF
电荷注入：<1 pC
电源电压范围：33 V
导通电阻：120 Ω
在±15 V、+12 V下全面规格化
无需VL电源
3 V逻辑兼容输入
轨到轨操作
16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
典型功耗：<0.03 μW

应用领域

自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统

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交货周期

订货25-27个工作日

购买数量

(1500个/圆盘，最小起订量 1500 个)

个

起订量：1500 个1500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	1:1
	通道数	4
	工作电压	-15V~15V
	导通时间(ton)	110ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	120Ω
	关闭时间(toff)	85ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	导通电容(Con)	2.6pF
	带宽	1GHz