SI4421DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4421DY-T1-GE3
- 商品编号
- C5894844
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.75mΩ@4.5V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器和充电器开关
- 负载开关
- 电机驱动控制
- DC/DC转换器
- 电源
- 电池管理
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