2SJ358C-T1-AZ
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ358C-T1-AZ
- 商品编号
- C5887814
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 143mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 666pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 可由4.0V电源直接驱动。
- 低导通电阻 RDS(on)1最大为143mΩ(VGS = -10V,ID = -2.0A) RDS(on)2最大为179mΩ(VGS = -4.5V,ID = -2.0A) RDS(on)3最大为190mΩ(VGS = -4.0V,ID = -2.0A)
应用领域
- 开关
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