温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 宽SOA(安全工作区)
- 低压驱动(4V)
- 驱动电路易于设计
- 易于并联
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 便携式应用的负载开关