商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
这些SuperMESH 3TM功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)SuperMESH 3TM技术改进的成果,并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用