商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
该系列高频外延平面晶体管具有低饱和电压的特点。U4封装采用气密密封，外形低矮，可最大程度降低电路板高度。“A”版本在低温和较高集电极 - 发射极电压下能保持正向电流传输比 h_{FE}。这些器件也有TO - 5和TO - 39封装可供选择。
商品特性
- JEDEC注册的2N3506U4至2N3507U4系列。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
- 在 I_C = 500 mA时，V_{ce(sat)} = 0.5 V。
- 在 I_C = 1.5 A、I_{B1} = 150 mA时，上升时间 t_r 最大为30 ns。
- 在 I_C = 1.5 A、I_{B1} = I_{B2} = 150 mA时，下降时间 t_f 最大为35 ns。
应用领域
适用于需要高频开关和低封装外形的中功率通用晶体管应用。