温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP12NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:10.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP12NK80Z
- 商品编号
- C5887433
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.852667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与面积乘积（RDS(on) x 面积）
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用