- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RF4E070GNTR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF |
商品概述
NextPower 100 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。符合 175 °C 标准，推荐用于工业和消费应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装(HUML2020L8)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 无卤
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 开关应用
- RF55-23A-T-00-50-G-A-SH
- RF55-24A-T-09-50-A-SH
- RF55-24G-T-09-50-A-SH
- RF55-25E-T-00-50-G-SH
- RF55-25G-T-00-50-G-SH
- RGC1/16C1623FTP
- RF55-26A-T-09-50-A-SH
- RGC1/16C1742DTP
- RF55-26B-T-09-50-A-SH
- RGC1/16C1781BTP
- RF55-26E-T-09-50-A-SH
- RGC1/16C1803DTP
- RF55-27B-T-02-50-A-SH
- RGC1/16C1822BTP
- RF55-27D-T-02-50-A-SH
- RGC1/16C1822FTP
- RF55-27E-T-02-50-A-SH
- RGC1/16C1871FTP
- RF55-27H-T-02-50-A-SH
- RGC1/16C1873FTP
- RGC1/16C1910DTP