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RS6P100BHTB1
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装（HSOP8）。 无铅镀层；符合RoHS标准。 无卤。 100%进行Rg和UIS测试。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RS6P100BHTB1
- 商品编号
- C5870432
- 商品封装
- HSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(HSOP8)
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 无卤素
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-开关应用
- RK73B1JTTD100G
- RS73F1ERTTP1004D
- RK73B2ATTD134G
- RS73F1ERTTP1101C
- RK73B2ATTD160G
- RS73F1ERTTP1133D
- RK73B2ATTD161G
- RS73F1ERTTP1151C
- RK73B2ATTD513G
- RS73F1ERTTP1152B
- RK73B2ATTD681G
- RS73F1ERTTP1182F
- RK73B2BTTD125G
- RS73F1ERTTP1211D
- RK73B2BTTD135J
- RS73F1ERTTP1212C
- RK73B2BTTD2R0G
- RS73F1ERTTP1212D
- RK73B2BTTD435G
- RS73F1ERTTP1241F
- RK73B2HTTE242J