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JMTL2312A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：20V, 6.8A。 RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL2312A
- 商品编号
- C5854717
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V；19mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 712pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品特性
- 高功率封装(PSOP8)
- 高速开关、低导通电阻
- 低电压驱动(4.5V驱动)
应用领域
- 开关
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