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JMSL0303AG-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMSL0303AG-13

30V、1.7mΩ N沟道功率MOSFET

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描述
特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合ReflS标准。应用:计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMSL0303AG-13
商品编号
C5854719
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.236067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)136A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)2.091nF
反向传输电容(Crss)147pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.539nF

商品特性

  • 超低导通状态漏源电阻
  • 低栅极电荷
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
  • 无铅引脚镀层
  • 无卤且符合 RoHS 标准

应用领域

  • 计算机、消费电子、工业 4.0、通信领域的电源管理
  • DC/DC 和 AC/DC 子系统中的电流切换
  • 电机驱动、快速/无线充电

数据手册PDF