PMZB320UPE,315
商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 开关速度极快
- 超薄封装外形
- 沟槽MOSFET技术
- 高度0.37 mm
- 低阈值电压
- 高达2 kV的静电放电(ESD)保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 低端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路
参数完善中
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。