- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMZB320UPE,315
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 770mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 770pC | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 开关速度极快
- 超薄封装外形
- 沟槽MOSFET技术
- 高度0.37 mm
- 低阈值电压
- 高达2 kV的静电放电(ESD)保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 低端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路