- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN2R9-25YLC
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.54V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.083nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 501pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证,适用于各种工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装,可在175°C环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低QG、QGD和QOSS,在高低负载下均能实现高系统效率
应用领域
- 直流-直流转换器
- 锂离子电池保护
- 负载开关
- 电源“或”功能
- 服务器电源
- 同步整流器