PSMN2R9-25YLC
商品参数
参数完善中
商品概述
LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证,适用于各种工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装,可在175°C环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低QG、QGD和QOSS,在高低负载下均能实现高系统效率
应用领域
- 直流-直流转换器
- 锂离子电池保护
- 负载开关
- 电源“或”功能
- 服务器电源
- 同步整流器
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