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WD3401
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：小信号MOSFET，Vps = -30V，ID = -4.2A。 RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10V。 RDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。 沟槽低压MOSFET技术
- 品牌名称
- WEIDA(韦达)
- 商品型号
- WD3401
- 商品编号
- C5819980
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 小信号MOSFET
- VDS = -30 V,ID = -4.2 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(导通) < 60 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(导通) < 75 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术
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