温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WD3401
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：小信号MOSFET，Vps = -30V，ID = -4.2A。 RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10V。 RDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。 沟槽低压MOSFET技术
- 品牌名称
- WEIDA(韦达)
- 商品型号
- WD3401
- 商品编号
- C5819980
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V，漏极电流(ID) = -2.3 A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5 V时，导通电阻(RDS(on)) < 115 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5 V时，导通电阻(RDS(on)) < 145 mΩ
- 低栅极电荷
- 沟槽功率低压MOSFET技术
相似推荐
其他推荐