UJ3C065080K3S
1个N沟道 耐压:650V 电流:31A
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- 描述
- 这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,在该配置中,常开型碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,以制成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装,具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用
- 品牌名称
- Qorvo
- 商品型号
- UJ3C065080K3S
- 商品编号
- C5814995
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 输出电容(Coss) | 104pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
优惠活动
购买数量
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