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UJ3C065080K3S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UJ3C065080K3S

1个N沟道 耐压:650V 电流:31A

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描述
这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,在该配置中,常开型碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,以制成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装,具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用
品牌名称
Qorvo
商品型号
UJ3C065080K3S
商品编号
C5814995
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
耗散功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th))6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)51nC
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)2.6pF
输出电容(Coss)104pF
导通电阻(RDS(on))100mΩ

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