- 引脚图
- 焊盘图
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UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018B7S
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- 品牌名称
- Qorvo
- 商品型号
- UJ4SC075018B7S
- 商品编号
- C5815000
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 耗散功率(Pd) | 259W |
商品概述
UJ4SC075018B7S是一款750V、18mW的第四代碳化硅场效应晶体管（SiC FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，以产生常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用D²PAK - 7L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)：18mΩ（典型值）
- 工作温度：175°C（最大值）
- 出色的反向恢复：Qrr = 125nC
- 低体二极管V FSD：1.14V
- 低栅极电荷：QG = 37.8nC
- 阈值电压VG(th)：4.8V（典型值），允许0至15V驱动
- 低固有电容
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
- D²PAK - 7L封装，实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热