MT54W512H36BF-7.5

美光QDR II（四倍数据速率）同步、流水线突发静态随机存取存储器（SRAM）采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的6T CMOS工艺。QDR架构由两个独立的DDR（双倍数据速率）端口组成，用于访问存储阵列。读端口有专用数据输出以支持读操作，写端口有专用数据输入以支持写操作，这种架构无需高速总线切换。通过公共地址总线访问每个端口，读写地址分别在K和K#输入时钟的上升沿锁存。每个地址位置关联两个字，它们会顺序突发进入或离开器件。由于数据可在两个时钟（K和K#以及C和C#）的每个上升沿进出器件，因此可最大化存储带宽，并通过消除总线切换简化系统设计。深度扩展通过在K上升沿接收的每个端口（读R#、写W#）的端口选择来实现，端口选择允许独立端口操作。所有同步输入通过由K或K#输入时钟上升沿控制的寄存器，低电平有效字节写（BWx#）允许选择字节或半字节写。写数据和字节写在K和K#的上升沿寄存。每两个突发内的寻址是固定且顺序的，从最低地址开始到最高地址结束。所有同步数据输出通过由输出时钟（如果提供则为C和C#，否则为K和K#）上升沿控制的输出寄存器。四个引脚用于实现JTAG测试功能：测试模式选择（TMS）、测试数据输入（TDI）、测试时钟（TCK）和测试数据输出（TDO）。JTAG电路用于与SRAM串行移位数据，JTAG输入在测试操作模式期间使用JEDEC标准的1.8V I/O电平来移位数据。SRAM由1.8V电源供电，所有输入和输出与HSTL兼容。该器件非常适合受益于高速、充分利用的DDR数据总线的应用。

• 用于精确输出数据定位的DLL电路
• 具有并发事务的独立读写数据端口，100%总线利用率的DDR读写操作
• 快速时钟到有效数据时间
• 完全数据一致性，提供最新数据
• 用于低DDR事务大小的两拍突发计数器
• 读写端口的双倍数据速率操作
• 两个输入时钟（K和K#），仅在时钟上升沿实现精确DDR定时
• 两个输出时钟（C和C#），用于精确飞行时间和时钟偏斜匹配，时钟和数据一起传送到接收设备
• 可选使用的回波时钟（CQ和CQ#），用于灵活的接收数据同步
• 单地址总线
• 简单的控制逻辑，便于深度扩展
• 内部自定时、寄存写
• 核心VDD = 1.8V（±0.1V）；I/O VDDQ = 1.5V至VDD（±0.1V）HSTL
• 具有微秒级重启的时钟停止功能
• 13mm x 15mm，1mm间距，11 x 15网格FBGA封装
• 用户可编程阻抗输出
• JTAG边界扫描

• 高速数据处理
• 通信设备
• 网络设备
• 数据存储
• 工业自动化