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MSC400SMA330B4
1个N沟道 耐压:3.3kV 电流:11A
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- 描述
- 碳化硅（SiC）功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC400SMA330B4器件是一款采用带源极检测的TO - 247四引脚封装的3300 V、400 mΩ SiC MOSFET。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSC400SMA330B4
- 商品编号
- C5812746
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 3.3kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.97V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 579pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ |
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