MSCSM120SKM31CTBL1NG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:79A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120SKM31CTBL1NG
- 商品编号
- C5812754
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 232nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 高速开关
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 超轻重量和超薄外形
- 开尔文源极,便于驱动
- 采用厚铜Si3N4基板,提升热性能
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 宽温度范围
应用领域
- 高可靠性电源系统
- 高效AC/DC和DC/AC转换器
- 电机控制
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