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DS9601D8
笔记本电脑用高压同步整流降压MOSFET驱动器
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- 描述
- 60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET
- 品牌名称
- DSTECH(奥简科技)
- 商品型号
- DS9601D8
- 商品编号
- C5795658
- 商品封装
- DFN2x2-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 4ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 35ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 80uA |
商品概述
DS9601是一款高频双MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET而设计。它特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。 该驱动器能够以快速的上升/下降时间和传播延迟驱动3nF负载。该器件仅使用一个外部电容即可实现上栅极自举。这降低了实现复杂度，并允许使用性能更高、成本更低的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。DS9601采用DFN2x2-8L封装。
商品特性
- 输出电流高达3A
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 导通电阻0.5Ω，灌电流能力4A
- 支持高开关频率
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 输出禁用功能
- 集成升压开关
- 低偏置电源电流
- 集成VCC上电复位（POR）功能
- 提供DFN2x2-8L封装
应用领域
- 笔记本电脑应用
- 英特尔/AMD移动微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低输出电压DC/DC转换器
- 高输入电压DC/DC转换器