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TC4452VPA
12A高速MOSFET驱动器
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- 描述
- 是高电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。具有非常低的交叉传导电流，可降低器件的总体功耗。除了直接过压或过耗散外，基本不受任何形式的干扰影响
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC4452VPA
- 商品编号
- C640812
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.883克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 13A | |
| 拉电流(IOH) | 13A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 32ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 140uA |
商品概述
TC4451/TC4452是单输出MOSFET驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。TC4451/TC4452器件的交叉导通电流也非常低，可降低器件的总体功耗。
除了直接过压或过耗散情况外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当这些器件的接地端子出现高达5V的接地反弹时，它们不会受到损坏或出现异常操作。它们能够承受超过1.5A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具有高达4.0 kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）防护能力。
TC4451/TC4452的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300 mV的迟滞，提供抗噪能力，并使器件能够由缓慢上升或下降的波形驱动。
TC4451/TC4452系列12A MOSFET驱动器具有较宽的工作温度范围，并且有表面贴装和通孔封装两种形式，适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。
商品特性
- 高峰值输出电流：13A（典型值）
- 输出级的低直通/交叉导通电流
- 宽输入电源电压工作范围：-4.5V至18V
- 高连续输出电流：2.6A（最大值）
- 匹配的快速上升和下降时间： - 带10,000 pF负载时为21 ns - 带22,000 pF负载时为42 ns
- 匹配的短传播延迟：44 ns（典型值）
- 低电源电流： - 逻辑‘1’输入时 - 140 μA（典型值） - 逻辑‘0’输入时 - 40 μA（典型值）
- 低输出阻抗：0.9 Ω（典型值）
- 抗闩锁保护：可承受1.5A输出反向电流
- 输入可承受高达5V的负输入
- 引脚与TC4420/TC4429、TC4421/TC4422和TC4421A/TC4422A MOSFET驱动器兼容
- 节省空间、散热增强的8引脚DFNS封装
应用领域
- 重载线路的线路驱动器
- 脉冲发生器
- 驱动大型MOSFET和IGBT
- 本地电源通/断开关
- 电机和螺线管驱动器
- 低频启动器