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SSM3K15F,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：小封装。 低导通电阻：Ron = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V)；Ron = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K15F,LF
- 商品编号
- C5761405
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V,10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8pF@3V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准，无卤
- N沟道MOSFET