- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM6N36FE,LM
2个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N36FE,LM
- 商品编号
- C5761417
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh™ V功率MOSFET，该技术与意法半导体著名的PowerMESH™水平布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 1.5 V驱动
- 低导通电阻:Ron = 1.52 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
- Ron = 1.14 Ω(最大值)(@VGS = 1.8 V)
- Ron = 0.85 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 0.66 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
- Ron = 0.63 Ω(最大值)(@VGS = 5.0 V)
- 重量:3.0 mg(典型值)
应用领域
- 开关应用
- SSW-108-22-L-S
- SSW-108-22-L-S-VS-TR
- SSP3A250F7
- SSW-108-22-S-D-VS-P-TR
- SSW-108-22-S-S-VS-K-TR
- SSW-108-23-F-T
- SSQ-101-01-F-Q
- SSW-109-01-G-D-LL
- SSW-109-01-L-T
- SSQ-101-01-G-P
- SSW-109-02-F-S
- SSQ-101-01-L-Q
- SSW-109-02-S-D-RA
- SSQ-101-01-S-S
- SSW-109-02-T-T-RA
- SSQ-101-01-S-T
- SSW-109-03-F-D-RA
- SSQ-101-02-G-T-RA
- SSW-109-03-G-S
- SSQ-101-21-G-D
- SSW-109-04-F-S