SSM3K127TU,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K127TU,LF
- 商品编号
- C5761403
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 123mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 123pF |
商品概述
HCT7000M是一款高性能增强型N沟道MOS晶体管芯片，采用超小型3引脚陶瓷LCC封装。其电气特性与JEDEC 2N7000相似。引脚排列和焊盘尺寸与大多数采用SOT23塑料封装的增强型MOS晶体管相匹配。
商品特性
- 1.8V驱动
- 低导通电阻:Ron = 286 mΩ(最大值)(@VGS = 1.8V)
- Ron = 167 mΩ(最大值)(在VGS = 2.5V时)
- Ron = 123 mΩ(最大值)(@VGS = 4.0V)
应用领域
- 电源管理开关应用
- 高速开关应用