- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 50V |
商品概述
MA4GP907是一款砷化镓（GaAs）倒装芯片PIN二极管。它采用MOCVD生长外延工艺制造，其工艺和设计优化了器件间的一致性，并产生极低的寄生效应。该二极管具有极低的RC乘积（0.1 ps）和2 - 3 ns的开关速度。芯片采用氮化硅进行完全钝化处理，并增加了一层BCB聚合物层用于防刮保护。BCB保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。
MA4GP907的超低电容使其能够在毫米波频率下用于射频开关和移相器应用。该二极管设计用于脉冲或连续波应用，这些应用需要个位数纳秒的开关速度。该器件的低电容使其非常适合用于许多微波多掷开关组件，在这些组件中，每个“关断”端口的串联电容会对输入产生不利负载并影响电压驻波比。
商品特性
- 低串联电阻
- 超低电容
- 毫米波开关和截止频率
- 2 ns开关速度
- 可由缓冲TTL驱动
- 氮化硅钝化
- 聚酰亚胺防刮保护
- 符合RoHS标准
- MA4P4301F-1091T
- MA4P506-131
- MA4PBL027
- MA4SPS402
- SQW-127-01-S-D-VS-A-P
- SQT-105-01-F-S-001
- SQW-128-01-F-D-VS-K-TR
- SQW-130-01-F-D-VS-LC
- SQT-105-01-F-S-RA-001
- SQT-105-01-F-S-RA-003
- SQW-132-01-H-D
- SQW-133-01-L-D-VS-A
- MA750.A.ABICG.003
- SQW-135-01-H-D-VS
- MA7CAP1200-S2
- SQT-105-01-L-S-RA-001
- SQW-135-01-L-D-VS-A
- MA961.A.BICG.002
- SQW-135-01-L-Q
- SQT-105-03-F-T
- MAAD-011021-TR0500