S70GL02GS11FHB013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S70GL02GS11FHB013
商品编号: C5746477
商品封装: FBGA-64(11x13)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.39克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位

商品概述

S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT闪存设备采用65纳米MIRRORBIT工艺技术制造。该设备提供25纳秒的快速页面访问时间和相应的110纳秒随机访问时间。它具有写缓冲区，允许在一次操作中编程最多256字/512字节，从而实现比标准单字节/字编程算法更快的有效编程时间。这使得该设备成为当今嵌入式应用的理想产品，这些应用需要更高密度、更好性能和更低功耗。本文档包含S70GL02GS设备的信息，该设备是两个S29GL01GS芯片的双芯片堆叠。有关详细规格，请参考独立芯片数据手册。

商品特性

CMOS 3.0 V核心，带Versatile I/O
两个1024兆位（S29GL01GS）芯片封装在单个64球Fortified-BGA封装中（完整规格请参见S29GL01GS数据手册）
65纳米MIRRORBIT工艺技术
单电源VCC用于读取、编程、擦除（2.7 V至3.6 V）
Versatile I/O功能
宽I/O电压（VIO）：1.65 V至VCC
×16数据总线
16字/32字节页面读取缓冲区
512字节编程缓冲区
以页面倍数编程，最多512字节
扇区擦除
统一的128 KB扇区
S70GL02GS：两千零四十八个扇区
用于编程和擦除操作的挂起和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法来确定设备状态
高级扇区保护（ASP）
每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的1024字节一次性编程（OTP）阵列，带两个可锁定区域
每个设备支持通用闪存接口（CFI）
WP#输入保护每个设备的第一个或最后一个扇区，或第一个和最后一个扇区，无论扇区保护设置如何

应用领域

嵌入式应用

数据手册PDF

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