- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S70GL02GT11FHI020
S70GL02GT11FHI020
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S70GL02GT11FHI020
- 商品编号
- C5746479
- 商品封装
- FBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
商品概述
S70GL02GT 2-Gb MIRRORBIT™ 闪存器件采用 45 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件提供 20 ns 的快速页访问时间，对应的随机访问时间为 110 ns。它具备一个写缓冲区，允许单次操作编程最多 256 字/512 字节，从而实现比标准单字节/字编程算法更快的有效编程时间。这使其成为当今嵌入式应用的理想产品，这些应用需要更高密度、更好性能和更低功耗。
商品特性
- CMOS 3.0 V 内核，具有多功能 I/O
- 采用 45 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术
- 单电源 VCC 用于读/编程/擦除（2.7 V 至 3.6 V）
- 多功能 I/O 特性
- 宽 I/O 电压 VIO：1.65 V 至 VCC
- ×8 和 ×16 数据总线
- 16 字/32 字节页读取缓冲区
- 512 字节编程缓冲区
- 以页的倍数进行编程，最多 512 字节
- 扇区擦除
- 统一的 128 KB 扇区
- 高级扇区保护
- 用于编程和擦除操作的挂起和恢复命令
- 状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法用于确定器件状态
- 每个扇区的易失性和非易失性保护方法
- 独立的 1024 字节一次性可编程阵列，具有两个可锁定区域
- 每个器件支持通用闪存接口
- WP# 输入
- 保护器件的最后一个扇区，不受扇区保护设置影响
- 工业温度范围（-40°C 至 +85°C）
- 工业增强温度范围（-40°C 至 +105°C）
- 汽车级，AEC-Q100 3 级（-40°C 至 +85°C）
- 汽车级，AEC-Q100 2 级（-40°C 至 +105°C）
- 100,000 次编程-擦除周期
- 20 年数据保持期
- 64 球 LSH 强化 BGA 封装，13 mm × 11 mm