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TC4452VOA
12A高速MOSFET驱动器
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- 描述
- 单输出MOSFET驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。此外，这些器件的交叉导通电流非常低，可降低器件的总体功耗
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC4452VOA
- 商品编号
- C636906
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 13A | |
| 拉电流(IOH) | 13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 32ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 140uA |
商品概述
TC4451/TC4452是单输出MOSFET驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452的输出上升和下降时间匹配，前沿和后沿传播延迟时间也匹配。此外，TC4451/TC4452的交叉导通电流极低，可降低器件的整体功耗。
除了直接过压或过耗散情况外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会损坏或出现异常工作情况。它们能够承受超过1.5A的任一极性的感性电流反向流入其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4.0 kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）保护。
TC4451/TC4452的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300 mV的迟滞，可抗干扰，并使器件能够由缓慢上升或下降的波形驱动。
凭借较宽的工作温度范围以及表面贴装和通孔引脚封装，12A的TC4451/TC4452系列MOSFET驱动器适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。
商品特性
- 高峰值输出电流：13A（典型值）
- 输出级的直通/交叉导通电流低
- 宽输入电源电压工作范围：- 4.5V至18V
- 高连续输出电流：2.6A（最大值）
- 匹配的快速上升和下降时间：- 带10,000 pF负载时为21 ns - 带22,000 pF负载时为42 ns
- 匹配的短传播延迟：44 ns（典型值）
- 低电源电流：- 逻辑“1”输入时 – 140 μA（典型值） - 逻辑“0”输入时 - 40 μA（典型值）
- 低输出阻抗：0.9 Ω（典型值）
- 抗闩锁保护：可承受1.5A输出反向电流
- 输入可承受高达5V的负输入
- 与TC4420/TC4429、TC4421/TC4422和TC4421A/TC4422A MOSFET驱动器引脚兼容
- 节省空间、散热增强的8引脚DFNS封装
应用领域
- 重载线路的线路驱动器
- 脉冲发生器
- 驱动大型MOSFET和IGBT
- 本地电源通/断开关
- 电机和螺线管驱动器
- 低频启动器