商品参数
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商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管则提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。EPC2035 eGaN FET仅以带焊球的钝化裸片形式提供，裸片尺寸为0.9mm x 0.9mm。
商品特性
- 超高效率
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低QG
- 超小封装尺寸
应用领域
高速DC - DC转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路、激光/脉冲功率应用
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