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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 644pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 304pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管则提供了极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。
商品特性
- 易于使用且可靠的栅极，典型栅极驱动导通电压为5V，关断电压为0V（无需负电压）
- FET顶部与源极电连接
应用领域
- DC-DC转换器
- 隔离式DC-DC转换器
- 汽车激光雷达/飞行时间测量
- AC-DC和DC-DC同步整流
- 负载点转换器
- USB-C
- D类音频
- LED照明
- 电动出行