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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJD35P03_L2_00001

1个P沟道 耐压:30V 电流:8.4A 电流:35A

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品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJD35P03_L2_00001
商品编号
C5709227
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.4A;35A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W;35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.169nF
反向传输电容(Crss)132pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用设计并通过相关认证。

商品特性

  • 当VGS为 - 10 V、ID为 - 8 A时,RDS(ON) < 19 mΩ
  • 当VGS为 - 4.5 V、ID为 - 5 A时,RDS(ON) < 30 mΩ
  • 开关速度快
  • 改善的dv/dt能力
  • 栅极电荷低
  • 反向传输电容低
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
  • 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 开关模式电源
  • 笔记本电脑
  • 电压调节器

数据手册PDF