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SI7111EDN-T1-GE3

1个P沟道耐压:30V 电流:60A

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描述: 特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 RDS(on) 额定值在 VGS =-2.5V。 100% Rg 和 UIS 测试。典型 ESD 保护：4600 V HBM。材料分类：有关合规类别的定义，请参阅相关文档。应用：电池开关。适配器和充电器开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7111EDN-T1-GE3
商品编号: C5690133
商品封装: PowerPAK-1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2352克(g)

商品参数

这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

-电池开关-适配器和充电器开关-负载开关-移动设备中的电池管理