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SI7111EDN-T1-GE3实物图
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SI7111EDN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:60A

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描述
特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 RDS(on) 额定值在 VGS =-2.5V。 100% Rg 和 UIS 测试。 典型 ESD 保护：4600 V HBM。 材料分类：有关合规类别的定义，请参阅相关文档。应用：电池开关。 适配器和充电器开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7111EDN-T1-GE3
商品编号
C5690133
商品封装
PowerPAK-1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2352克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))8.55mΩ@4.5V,60A
耗散功率(Pd)33.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)30.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)5.86nF@15V
反向传输电容(Crss)395pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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