HV430WG-G
高压环形发生器
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- 描述
- 高压PWM环形发生器,提供过流保护、逻辑控制等功能。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- HV430WG-G
- 商品编号
- C629419
- 商品封装
- SOIC-20-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.793克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
Supertex HV430 是一种高压 PWM 环形发生器集成电路。高压输出 V_P_GATE 和 V_N_GATE 用于在推挽配置中驱动外部高压 N沟道和 P沟道MOSFET。N沟道和P沟道MOSFET都实现了过流保护。外部采样电阻设置过流触发点。
当 RESET 输入连接到外部电容时,它作为上电复位功能。FAULT 输出指示过流状态,并在连续4个无过流状态的周期后清除。RESET 或 ENABLE 上的低电平会清除 FAULT 输出。它是低电平有效的开漏输出,允许多个驱动器的线或连接。
当 MODE 引脚为高电平时,P_GATE 和 N_GATE 由逻辑输入 P|N 和 N_w 独立控制。P|N 上的高电平将打开外部 P沟道MOSFET。同样,N_w 上的高电平将打开外部 N沟道MOSFET。互锁电路防止 N 和 P 开关同时导通。脉宽限制器将脉宽限制在不少于100-200纳秒。
对于需要单个控制输入的应用,MODE 引脚应连接到 SGND。PWM 控制信号则输入到 N_IN 引脚。控制逻辑中的用户可调死区确保输出先断后通,从而避免开关过程中高压输出的交叉导通。N_IN 上的高电平将打开外部 P沟道MOSFET 并关闭 N沟道MOSFET,反之亦然。通过在 ENABLE 引脚上施加低电平,可以使 IC 关断,使两个外部 MOSFET 都处于关断状态。
商品特性
- 105Vrms 铃声信号
- 输出过流保护
- 5.0V CMOS 逻辑控制
- 逻辑使能/禁用以节省电源
- 单控制模式下可调死区
- 上电复位
- 故障输出用于问题检测
应用领域
- 线路接入卡
- 机顶/街边盒
优惠活动
购买数量
(1600个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1600个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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