SST26VF032BT-104V/TD

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存器件采用六线制、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议完全兼容的指令集。采用SQI闪存器件的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造。分离栅极单元设计和厚氧化层隧道注入器，相较于其他方案，实现了更好的可靠性和可制造性。SST26VF032B/032BA显著提升了性能和可靠性，同时降低了功耗。这些器件在2.3-3.6V单电源供电下进行写入（编程或擦除）操作。总能耗是施加电压、电流和应用时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术编程时消耗的电流更小且擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。根据订单有两种配置可用。SST26VF032B上电默认启用WP#和HOLD#引脚，禁用SIO2和SIO3引脚，以启动SPI协议操作。SST26VF032BA上电默认禁用WP#和HOLD#引脚，启用SIO2和SIO3引脚，以启动四线I/O操作。

• 单电源读写操作：2.7V-3.6V或2.3V-3.6V
• 串行接口架构：具有类SPI串行指令结构的半字节宽复用I/O；模式0和模式3；x1/x2/x4串行外设接口（SPI）协议
• 高速时钟频率：2.7V-3.6V下最高104 MHz；2.3V-3.6V下最高80 MHz
• 突发模式：连续线性突发；具有回绕功能的8/16/32/64字节线性突发
• 卓越的可靠性：耐擦写次数：100,000次（最小值）；数据保存期大于100年
• 低功耗：读取工作电流：15 mA（典型值 @ 104 MHz）；待机电流：15 μA（典型值）
• 快速擦除时间：扇区/块擦除：18 ms（典型值），25 ms（最大值）；芯片擦除：35 ms（典型值），50 ms（最大值）
• 页编程：在x1或x4模式下每页256字节
• 写操作结束检测：软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• 灵活的擦除能力：统一的4-KB扇区；四个8-KB顶部和底部参数覆盖块；一个32-KB顶部和底部覆盖块；统一的64-KB覆盖块
• 写挂起：挂起编程或擦除操作以访问其他块/扇区
• 软件复位（RST）模式
• 软件写保护：具有永久锁定功能的独立块写保护；64-KB块、两个32-KB块和八个8-KB参数块；顶部和底部8-KB参数块的读保护
• 安全ID：一次性可编程（OTP）2-KB安全ID：64位、出厂预编程标识符；用户可编程区域
• 温度范围：工业级：-40℃ 到 +85℃；增强工业级：-40℃ 到 +105℃；扩展级：-40℃ 到 +125℃
• 符合汽车AEC-Q100 Grade 1、Grade 2和Grade 3标准
• 可用封装：8触点WDFN（6 mm × 5 mm）；8引脚SOIJ（5.28 mm）；24球TBGA（6 mm × 8 mm）
• 所有器件均符合RoHS标准