SST26VF064BT-104V/TD

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存器件采用六线制、4位输入/输出接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议完全兼容的指令集。采用SQI闪存器件的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。 26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方案相比，其分栅单元设计和厚氧化层隧道注入器实现了更好的可靠性和可制造性。 SST26VF064B/064BA 显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。这些器件使用2.3V~3.6V的单电源进行写入（编程或擦除）操作。消耗的总能量是所施加电压、电流和施加时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术使用更少的电流进行编程且擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 有两种配置可供订购。SST26VF064B 在电源启动时默认启用WP#和HOLD#引脚，并禁用SIO2和SIO3引脚，以启动SPI协议操作。SST26VF064BA 在电源启动时默认禁用WP#和HOLD#引脚，并启用SIO2和SIO3引脚，以启动四路输入/输出操作。

• 单电压读写操作：2.7V~3.6V 或 2.3V~3.6V
• 串行接口架构：具有类似SPI串行命令结构的半字节宽多路复用输入/输出
• 模式0和模式3
• ×1/×2/×4 串行外设接口（SPI）协议
• 高速时钟频率：2.7V~3.6V下最大104 MHz；2.3V~3.6V下最大80 MHz
• 突发模式：连续线性突发；具有环绕功能的8/16/32/64字节线性突发
• 卓越的可靠性：耐久性：100,000次循环（最小值）；数据保存期超过100年
• 低功耗：活动读取电流：15 mA（典型值@104 MHz）；待机电流：15 μA（典型值）
• 快速擦除时间：扇区/块擦除：18 ms（典型值），25 ms（最大值）；芯片擦除：35 ms（典型值），50 ms（最大值）
• 页编程：在×1或×4模式下每页256字节
• 写操作结束检测：通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• 灵活的擦除功能：统一的4千字节扇区；四个8千字节顶部和底部参数覆盖块；一个32千字节顶部和底部覆盖块；统一的64千字节覆盖块
• 写挂起：挂起编程或擦除操作以访问另一个块/扇区；软件复位（RST）模式
• 软件保护：具有永久锁定功能的独立块写保护；64千字节块、两个32千字节块和八个8千字节参数块；顶部和底部8千字节参数块的读取保护
• 安全标识符：一次性可编程（OTP）2千字节安全标识符；64位、工厂预编程标识符；用户可编程区域
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C；增强工业级：-40°C 至 +105°C
• 符合汽车AEC-Q100 2级和3级标准
• 所有器件均符合RoHS标准