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MIC4104YM-TR实物图
  • MIC4104YM-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC4104YM-TR

MIC4104YM-TR

商品型号
MIC4104YM-TR
商品编号
C628006
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)2A
属性参数值
工作电压9V~16V
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)6ns
特性-
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

MIC4103和MIC4104是高频、100V半桥MOSFET驱动器,与MIC4100和MIC4101驱动器相比,具有更快的关断特性。它们的传播延迟时间仅24ns,驱动器下降时间仅6ns。低端和高端栅极驱动器可独立控制,匹配时间在3ns以内(典型值)。MIC4103具有CMOS输入阈值,MIC4104具有TTL输入阈值。MIC4103/4内置高压二极管,用于对高端栅极驱动自举电容充电。 坚固、高速、低功耗的电平转换器可实现高端输出的清晰电平转换。MIC4103/4的可靠运行确保输出不受电源毛刺、HS低于地电位的振铃或HS高速电压转换时的转换影响。低端和高端驱动器均具备欠压保护功能。 MIC4103和MIC4104采用8引脚SOIC封装,工作结温范围为-40℃至+125℃。

商品特性

  • 非对称、低阻抗输出可驱动1000pF负载,上升时间为10ns,下降时间为6ns
  • 自举电源最大直流电压可达118V
  • 电源电压最高可达16V
  • 独立输入驱动高端和低端N沟道MOSFET
  • CMOS输入阈值(MIC4103)
  • TTL输入阈值(MIC4104)
  • 片上自举二极管
  • 快速24ns传播时间
  • 低功耗
  • 电源欠压保护
  • 典型上拉电阻2.5Ω,下拉输出驱动电阻1.25Ω
  • 结温范围为-40℃至+125℃

应用领域

  • 高压降压转换器
  • 全桥和半桥电源拓扑
  • 有源钳位正激转换器
  • 双开关正激拓扑
  • 与数字控制器接口

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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